P型：シリコンウエハ 4"φx0.525mm t (100) 片面鏡面　抵抗率：< 0.005 Ohm cm、Boronドープ

商品番号　17-20-006 こちらの価格は1枚単位での販売の場合の価格です。25枚単位でご入用の場合はお値引き適用させていただきますので、弊社HPよりお問い合わせください。 仕様 サイズ：4"φ×0.525mm 方位：（100） 研磨：片面鏡面（Ra<0.5nm） 入数：1枚入 抵抗率：< 0.005 Ohm cm ドープ：Boron 【備考】 ①基板エッジ部の微細なチッピングは不問とさせていただきます。 ②片面研磨品の裏面キズ、シミは不問とさせていただきます。 その他ご注意いただきたい点につきましては、メニューの「基板についてのご注意点」をよくお読みいただき、ご了承の上ご注文いただきますようよろしくお願い申し上げます。

P型：シリコンウエハ 4"φx0.525mm t (100) 片面鏡面　抵抗率：1-30 Ohm cm、Boronドープ

商品番号　17-20-005 こちらの価格は1枚単位での販売の場合の価格です。25枚単位でご入用の場合はお値引き適用させていただきますので、弊社HPよりお問い合わせください。 仕様 サイズ：4"φ×0.525mm 方位：（100） 研磨：片面鏡面（Ra<0.5nm） 入数：1枚入 抵抗率：1-30 Ohm cm ドープ：Boron 【備考】 ①基板エッジ部の微細なチッピングは不問とさせていただきます。 ②片面研磨品の裏面キズ、シミは不問とさせていただきます。 その他ご注意いただきたい点につきましては、メニューの「基板についてのご注意点」をよくお読みいただき、ご了承の上ご注文いただきますようよろしくお願い申し上げます。

熱酸化膜300nm付き：P型シリコンウエハ 100mmφx 0.525mm t (100) 片面鏡面　抵抗率：1-30 Ohm cm

商品番号　17-20-008 こちらの価格は1枚単位での販売の場合の価格です。25枚単位でご入用の場合はお値引き適用させていただきますので、弊社HPよりお問い合わせください。 仕様 サイズ：100mmφ×0.525mm 方位：（100） 研磨：片面鏡面（Ra<0.5nm） 入数：1枚入 熱酸化膜：300nm程度 抵抗率：1-30 Ohm cm 【備考】 ①基板エッジ部の微細なチッピングは不問とさせていただきます。 ②片面研磨品の裏面キズ、シミは不問とさせていただきます。 その他ご注意いただきたい点につきましては、メニューの「基板についてのご注意点」をよくお読みいただき、ご了承の上ご注文いただきますようよろしくお願い申し上げます。